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          我國半導體分立器件行業的技術水平及特點分析

          作者: 來源: 日期:2015/9/22 13:41:14 人氣:4829
           1、技術水平及特點

              (1)半導體分立器件制造行業的技術水平

              半導體分立器件的技術包含了電氣工程中的多種領域,不同領域知識的結合促進行業交叉邊緣新技術的不斷發展,并帶來廣闊的發展前景。電力電子技術是弱電控制與強電運行之間,信息技術與先進制造技術之間,傳統產業實現自動化、智能化、節能化、機電一體化之間的橋梁,是國民經濟的重要基礎技術。

              中國產業信息網發布的《2014-2019年中國半導體器件市場分析預測及投資戰略咨詢報告》顯示,隨著終端產品的整體技術水平要求越來越高,功率半導體分立器件技術也在市場的推動下不斷向前發展,CAD 設計、離子注入、濺射、多層金屬化、亞微米光刻等先進工藝技術已應用到分立器件生產中,行業內產品的技術含量日益提高、制造難度也相應增大。目前日本和美國等發達國家的功率器件領域,很多VDMOS、IGBT 產品已采用VLSI 的微細加工工藝進行制作,生產線已大量采用8 英寸、0.18 微米工藝技術,大大提高了功率半導體分立器件的性能。

              產品性能提高的同時,半導體分立器件的產品鏈也在不斷延伸和拓寬?,F代功率半導體分立器件向大功率、易驅動和高頻化方向發展。晶閘管、MOSFET和IGBT 在其各自領域實現技術和性能的不斷突破,每類產品系列的規格、型號和種類愈加豐富。同時,新型產品如結合晶體管和晶閘管優點的集成門極換流晶閘管IGCT 及碳化硅、氮化鎵等寬禁帶功率半導體分立器件陸續被研發面世,并開始產業化應用,應用領域也滲透到能源技術、激光技術等前沿領域。

              我國半導體分立器件行業的整體技術水平落后于日本、韓國、美國和歐洲,國內產品種類單一,以硅基二極管、三極管和晶閘管為主,MOSFET 產品、IGBT產品近年才有所發展。由于高性能功率半導體分立器件技術含量高和制造難度大,目前國內的生產技術與國外先進水平存在較大差距,產品性能也需要市場經過大批量、長時間檢驗后才能確認。

              與我國功率半導體分立器件行業整體技術水平落后相比,細分領域晶閘管系列產品的技術在我國得到長足的發展,行業內的優秀企業通過長期技術積累、生產工藝的改進和自主創新,形成具有自主知識產權的技術體系,生產工藝的先進性確保產品的可靠性、一致性達到國際水平,滿足我國市場對高端晶閘管替代進口的需求。

              (2)行業的技術特點

              功率半導體分立器件的下游行業覆蓋面廣,終端產品發展迅速,技術要求不斷提高,節能環保標準日趨嚴格,帶動功率半導體分立器件新技術和新產品的研發速度、技術成果轉化速度、產品普及速度大幅提升。

              電力電子技術自20 世紀50 年代開始發展起來,至今形成以晶閘管、MOSFET、IGBT、碳化硅寬禁帶功率半導體分立器件為代表的多代產品,每代產品也在實踐中不斷突破原有技術瓶頸,派生出眾多規格和型號,適應不同下游產品。新技術、新產品的誕生拓寬了原有產品和技術的應用范圍,適應更多終端產品的需求,但是,每代產品在頻率、功率、開關速度等參數上均具有不可替代的優勢,一代新產品、新技術的產生并不能替代原有產品和技術,市場上形成多代功率半導體分立器件產品并存的格局。 
          2015-10-27咖啡
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